IXTA1N200P3HV, Транзистор N-MOSFET, 2кВ, 1А, 125Вт, TO263HV, 2,3мкс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072775366
- Артикул
- IXTA1N200P3HV
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 80 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 26 ns
Цена по запросу
(от 1 215 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтные силовые МОП-транзисторы IXYS 2000V High Voltage Power MOSFETs - это линейка МОП-транзисторов с самым высоким напряжением в отрасли в корпусаx международныx стандартныx размеров. Номинальный ток составляет от 0,6 А до 3 А. Они специально разработаны для работы с высоким напряжением блокировки и высоковольтными установками.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 80 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 26 ns |
| Вес, г | 2.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 23.5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 37 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 400 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |