IXTA1N200P3HV,Power MOSFET, N Channel, 2 kV, 1 A, 40 ohm, TO-263HV, Surface Mount

Name: IXTA1N200P3HV,Power MOSFET, N Channel, 2 kV, 1 A, 40 ohm, TO-263HV, Surface Mount
Brand: Littelfuse
SKU: 8046383679

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Цена по запросу

(от 2 340 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия Polar3™ - N-канальные МОП-транзисторы стандартной мощности 2000 В - 3000 В, TO-263HV, RoHS

RoHS	Details
Brand	IXYS
Fall Time	80 ns
Packaging	Tube
Rise Time	26 ns
Technology	Si
Вес, г	2.05
No. of Pins	3Pins
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N Channel
Manufacturer	IXYS
Корпус	TO-263
Configuration	Single
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	TO-263HV-2
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	23.5 nC
Структура	N-Channel
Transistor Mounting	Surface Mount
Transistor Polarity	N-Channel
Factory Pack Quantity	50
Transistor Case Style	TO-263HV
Pd - Power Dissipation	125 W
Особенности	высоковольтный
Drain Source Voltage Vds	2kV
Operating Temperature Max	150°C
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Typical Turn-On Delay Time	16 ns
Continuous Drain Current Id	1A
Typical Turn-Off Delay Time	37 ns
Id - Continuous Drain Current	1 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Forward Transconductance - Min	400 mS
Rds On - Drain-Source Resistance	40 Ohms
Gate Source Threshold Voltage Max	4V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	2000 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	2000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	125
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	40ohm