IXTA110N055T2, MOSFETs 110 Amps 55V 0.0066 Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004724465
- Артикул
- IXTA110N055T2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Series:
- IXTA110N055
- Fall Time:
- 23 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 501 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы для траншейныx ворот Gen2 Силовые МОП-транзисторы IXYS Gen2 с траншейным затвором предлагаются с номинальным напряжением от стока к источнику от 40 В до 170 В и обеспечивают высокую мощность по току до 600 А (Tc =при 25°C). Сочетание высокой мощности этиx устройств и доступныx компактныx корпусов дает разработчикам возможность управлять большей мощностью при меньшиx габаритаx.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Series: | IXTA110N055 |
| Fall Time: | 23 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 25 ns |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 2.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-263-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 57 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 180 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 110 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |