Моя заявка (0)

IXTA08N100D2HV, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 0,8А, 60Вт, TO263HV

IXTA08N100D2HV, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 0,8А, 60Вт, TO263HV

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8038437498
Артикул
IXTA08N100D2HV
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Fall Time:
48 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
57 ns
Цена по запросу
(от 698 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы серии D2 с N-канальным режимом разрядки IXYS Серии D2 с N-канальным режимом разрядки IXYS Серии D2 с напряжением от 100 В до 1700 В представляют собой устройства с разрядным режимом, которые работают в обычном "включенном" режиме, требующем нулевого напряжения на выводе затвора. Серия IXYS D2 обеспечивает блокирующее напряжение до 1700 В и низкое сопротивление между стоком и источником питания, что упрощает управление и снижает рассеиваемую мощность в постоянно включенныx системаx, такиx как аварийная или оxранная сигнализация.

Технические параметры

Brand:IXYS
Fall Time:48 ns
Packaging:Tube
Rise Time:57 ns
Вес, г2.5
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Depletion
Manufacturer:IXYS
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263HV-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:14.6 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:50
Особенности-
Pd - Power Dissipation:60 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:28 ns
Typical Turn-Off Delay Time:34 ns
Id - Continuous Drain Current:800 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:21 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация