IXGT2N250, IGBT 2500 V 5.5 A 32 W Surface Mount TO-268AA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063910380
- Артикул
- IXGT2N250
- Бренд
- Ixys Corporation
- Вес, г
- 7
- Упаковка
- Tube
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 5 850 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Disc IGBT NPT-Very Hi Voltage TO-268AA
Технические параметры
| Вес, г | 7 |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-268-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Pd - рассеивание мощности | 32 W |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 13.5 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 5.5 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 2500 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.6 V |