IXGT16N170A, Транзистор: IGBT, NPT, 1,7кВ, 11А, 190Вт, TO268
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061918707
- Артикул
- IXGT16N170A
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 4.02
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 2 590 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: IGBT, NPT, 1,7кВ, 11А, 190Вт, TO268 Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 4.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-268-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Pd - Power Dissipation: | 190 W |
| Operating Temperature Range: | -55 C to+150 C |
| Continuous Collector Current: | 16 A |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.7 kV |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 40 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 5 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 16 A |