IXGN200N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 160А; SOT227B
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062394943
- Артикул
- IXGN200N170
- Бренд
- Ixys Corporation
- Вес, г
- 30
- Упаковка
- Tube
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- Screw Mount
Цена по запросу
(от 10 660 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT NPT-HIVOLTAGE (MINI
Технические параметры
| Вес, г | 30 |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | SOT-227B-4 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Pd - рассеивание мощности | 1250 W |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 1050 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 280 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1 V |