IXGK120N120A3, Транзистор IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 120А, 830Вт, TO264
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062083953
- Артикул
- IXGK120N120A3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Вес, г
- 10
- Длина
- 20.29 mm
- Серия
- IXGK120N120
- Высота
- 26.59 mm
Цена по запросу
(от 7 110 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 120 Amps 1200V
Технические параметры
| Вес, г | 10 |
| Длина | 20.29 mm |
| Серия | IXGK120N120 |
| Высота | 26.59 mm |
| Ширина | 5.31 mm |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-264-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Pd - рассеивание мощности | 830 W |
| Коммерческое обозначение | GenX3 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Размер фабричной упаковки | 25 |
| Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
| Непрерывный коллекторный ток | 240 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 600 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 240 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |