Моя заявка (0)
IXGH30N120B3D1 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8938619282
Артикул
IXGH30N120B3D1
Бренд
Ixys Corporation
Pin Count
3
Вес, г
2
Длина
16.26 mm
Серия
IXGH30N120
Цена по запросу
(от 4 210 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор с изолированным затвором или IGBT - это силовое полупроводниковое устройство с тремя выводами, отличающееся высокой эффективностью и быстрым переключением.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г2
Длина16.26 mm
СерияIXGH30N120
Package TypeTO-247
Высота21.46 mm
Ширина5.3 mm
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаIGBT Transistors
Transistor ConfigurationSingle
ПодкатегорияIGBTs
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-247AD-3
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Collector Emitter Voltage1200 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Maximum Continuous Collector Current50 A
Pd - рассеивание мощности300 W
Коммерческое обозначениеGenX3
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Размер фабричной упаковки30
Диапазон рабочих температур55 C to + 150 C
Непрерывный коллекторный ток30 A
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.150 A
Непрерывный коллекторный ток при 25 C50 A
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1.2 kV
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.96 V

Техническая документация