IXGH20N120A3, IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048898025
- Артикул
- IXGH20N120A3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO247-3
- Mounting
- THT
- Technology
- GenX3™, PT
- Вес, г
- 7
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор БТИЗ IXGH20N120A3 от известного производителя IXYS представляет собой высокомощный компонент для эффективного управления электрическими нагрузками. Этот IGBT транзистор, выполненный в надежном корпусе TO247, предназначен для монтажа в отверстия на печатной плате (THT). С током коллектора до 20 А и способностью выдерживать напряжение коллектор-эмиттер до 1200 В, он идеально подходит для задач, требующих высокой мощности до 180 Вт. Транзистор IXGH20N120A3 станет надежным решением для сложных электронных схем. Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT Монтаж THT Ток коллектора, А 20 Напряжение коллектор-эмиттер, В 1200 Мощность, Вт 180 Корпус TO247
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Mounting | THT |
| Technology | GenX3™, PT |
| Вес, г | 7 |
| Длина | 16.26 mm |
| Серия | IXGH20N120 |
| Gate charge | 50nC |
| Manufacturer | IXYS |
| Turn-on time | 66ns |
| Высота | 21.46 mm |
| Ширина | 5.3 mm |
| Turn-off time | 1.53µs |
| Kind of package | tube |
| Упаковка | Tube |
| Collector current | 20A |
| Power dissipation | 180W |
| Type of transistor | IGBT |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Pulsed collector current | 120A |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-247AD-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Pd - рассеивание мощности | 180 W |
| Коммерческое обозначение | GenX3 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
| Непрерывный коллекторный ток | 40 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 120 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.3 V |