Моя заявка (0)

IXFX64N60P3, Транзистор N-MOSFET, 600В, 64А, 1130Вт, PLUS247™

IXFX64N60P3, Транзистор N-MOSFET, 600В, 64А, 1130Вт, PLUS247™

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062467713
Артикул
IXFX64N60P3
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Series:
IXFX64N60
Fall Time:
11 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 1 773,18 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы PolarP3™ HiPerFET™ Силовые МОП-транзисторы IXYS PolarP3™ HiPerFET™ - это новейшее дополнение к эталонной высокопроизводительной серии Polar для линейки продуктов напряжением 300 В, 500 В и 600 В. Высокий коэффициент полезного действия (FOM), который является результатом умножения qg и RD(on), обеспечивает отличную альтернативу более слабым теxнологиям суперпереxодов. Эти сверxмощные транзисторы PolarP3 демонстрируют снижение сопротивления во включенном состоянии (rdson) на 12%, снижение заряда затвора (qg) на 14% и увеличение максимальной рассеиваемой мощности (Pd) на 20%. Более низкое тепловое сопротивление также достигается за счет уменьшения толщины стружки, что увеличивает общую удельную мощность устройства.

Технические параметры

Brand:IXYS
Series:IXFX64N60
Fall Time:11 ns
Packaging:Tube
Rise Time:17 ns
Tradename:HiPerFET
Вес, г6
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:145 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:1.13 kW
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Id - Continuous Drain Current:64 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:60 S, 36 S
Rds On - Drain-Source Resistance:95 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30

Техническая документация