IXFX64N60P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 64А, 1040Вт, PLUS247™
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062489316
- Артикул
- IXFX64N60P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Series:
- IXFX64N60
- Fall Time:
- 24 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 2 950 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Polar HiPerFET Мощные МОП-транзисторы IXYS Polar™ HiPerFETs сочетают в себе преимущества семейства Polar Standard с более быстродействующим корпусным диодом. Время обратного восстановления диодов faster body (t rr) сокращено, что делает иx пригодными для управления двигателями с фазосдвигающими мостами и в системаx бесперебойного питания (ИБП). Это семейство МОП-транзисторов обеспечивает самый низкий уровень RDS1 (при включении), низкий уровень RTHJC, низкую добротность и расширенные возможности dv/dt.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Series: | IXFX64N60 |
| Fall Time: | 24 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 23 ns |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 6.93 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 200 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 1.04 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 79 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 64 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 63 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 96 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |