Моя заявка (0)

IXFX64N50P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 64А, 830Вт, PLUS247™

IXFX64N50P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 64А, 830Вт, PLUS247™

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8060158098
Артикул
IXFX64N50P
Бренд
Ixys Corporation
Type:
PolarHV HiPerFET Power MOSFET
Brand:
IXYS
Series:
IXFX64N50
Fall Time:
22 ns
Цена по запросу
(от 3 255,33 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Polar HiPerFET Мощные МОП-транзисторы IXYS Polar™ HiPerFETs сочетают в себе преимущества семейства Polar Standard с более быстродействующим корпусным диодом. Время обратного восстановления диодов faster body (t rr) сокращено, что делает иx пригодными для управления двигателями с фазосдвигающими мостами и в системаx бесперебойного питания (ИБП). Это семейство МОП-транзисторов обеспечивает самый низкий уровень RDS1 (при включении), низкий уровень RTHJC, низкую добротность и расширенные возможности dv/dt.

Технические параметры

Type:PolarHV HiPerFET Power MOSFET
Brand:IXYS
Series:IXFX64N50
Fall Time:22 ns
Packaging:Tube
Rise Time:25 ns
Tradename:HiPerFET
Вес, г6.92
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:PLUS-247-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:150 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:830 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:30 ns
Typical Turn-Off Delay Time:85 ns
Id - Continuous Drain Current:64 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:30 S
Rds On - Drain-Source Resistance:85 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:500 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30

Техническая документация