IXFX44N80P, Транзистор N-MOSFET, 800В, 44А, 1040Вт, PLUS247™
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017544754
- Артикул
- IXFX44N80P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- PolarHV HiPerFET Power MOSFET
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 27 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 2 113,60 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы HiPerFET™ IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и в резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой прочностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и более высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти сильноточные МОП-транзисторы HiPerFET выпускаются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные типы.
Технические параметры
| Type: | PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 27 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 22 ns |
| Вес, г | 7 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | PLUS-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 198 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Power Dissipation (Pd) | 1.04kW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.04 kW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 44A |
| Id - Continuous Drain Current: | 44 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 27 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@8mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 44 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1040 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 190mΩ@10V, 22A |