Моя заявка (0)

Транзистор полевой IXFX40N90P (MOSFET N-Ch 900V 40A 210mOhm)

Транзистор полевой IXFX40N90P (MOSFET N-Ch 900V 40A 210mOhm)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070018077
Артикул
IXFX40N90P
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Fall Time:
46 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
50 ns
Цена по запросу
(от 3 010 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор IXFX40N90P — изделие серии IXFX40. Характеристики Обозначение: IXFX40N90P Категория: Транзисторы / Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Параметры: полевой (MOSFET N-Ch 900V 40A 210mOhm) Масса: 2 г Производитель: IXYS Единица измерения: шт

Технические параметры

Brand:IXYS
Fall Time:46 ns
Packaging:Tube
Rise Time:50 ns
Вес, г2
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:TO-247-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:230 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:30
Pd - Power Dissipation:960 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:53 ns
Typical Turn-Off Delay Time:77 ns
Id - Continuous Drain Current:40 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:30 S
Rds On - Drain-Source Resistance:210 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:900 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:6.5 V

Техническая документация