Моя заявка (0)
IXFX26N120P, MOSFETs 32 Amps 1200V 0.46 Rds

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004724456
Артикул
IXFX26N120P
Бренд
Ixys Corporation
Тип
Polar HiPerFET Power MOSFET
Вес, г
8
Длина
16.13 mm
Серия
IXFX26N120
Цена по запросу
(от 6 460 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 32 Amps 1200V 0.46 Rds

Технические параметры

ТипPolar HiPerFET Power MOSFET
Вес, г8
Длина16.13 mm
СерияIXFX26N120
Высота21.34 mm
Ширина5.21 mm
УпаковкаTube
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада58 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-247-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора255 nC
Время нарастания55 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности960 W
Id - непрерывный ток утечки26 A
Коммерческое обозначениеHiPerFET
Размер фабричной упаковки30
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток500 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток1.2 kV
Пороговое напряжение на затворе-10 V, +22 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения76 ns
Типичное время задержки при включении56 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток6.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А32
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.13 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация