IXFX24N100Q3, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 24А, 1000Вт, PLUS247™
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062246782
- Артикул
- IXFX24N100Q3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 300 ns
- Вес, г
- 6
Цена по запросу
(от 4 190 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы HiPerFET™ IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и в резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой прочностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и более высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти сильноточные МОП-транзисторы HiPerFET выпускаются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные типы.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 300 ns |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 140 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 kW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 440 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |