IXFX230N20T, MOSFETs 230A 200V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004724455
- Артикул
- IXFX230N20T
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- PLUS247™
- Brand:
- IXYS
- Series:
- IXFX230N20
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 4 670 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы HiPerFET™ Мощные МОП-транзисторы IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой надежностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти высокоточные МОП-транзисторы HiPerFET поставляются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные.
Технические параметры
| Case | PLUS247™ |
| Brand: | IXYS |
| Series: | IXFX230N20 |
| Mounting | THT |
| Packaging: | Tube |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 9 |
| Gate charge | 358nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 230A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 1670W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 358 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 7.5mΩ |
| Drain-source voltage | 200V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.67 kW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 230 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 230 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1670 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |