IXFX20N120P, MOSFETs 26 Amps 1200V 1 Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004636826
- Артикул
- IXFX20N120P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Series:
- IXFX20N120
- Fall Time:
- 70 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 5 180 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 1,2кВ, 20А, 780Вт, PLUS247™ Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Series: | IXFX20N120 |
| Fall Time: | 70 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 45 ns |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 193 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 780 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 49 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 72 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 570 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +22 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 26 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 780 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |