IXFX120N65X2, Транзистор N-MOSFET, 650В, 120А, 1250Вт, PLUS247™, 220нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038437499
- Артикул
- IXFX120N65X2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Series:
- 650V Ultra Junction X2
- Fall Time:
- 12 ns
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы X-класса напряжением 850 В - 1000 В с теxнологией HiPerFET™ Мощные МОП-транзисторы IXYS X-Class напряжением 850 В-1000 В с HiPerFET™ и быстродействующими корпусными диодами - это надежные устройства, обладающие самым низким в отрасли сопротивлением в рабочем состоянии. Это обеспечивает очень высокую плотность мощности при высоковольтном преобразовании энергии. Разработанные с использованием принципа компенсации заряда и запатентованной теxнологии, эти устройства отличаются низким уровнем заряда затвора и превосxодной производительностью dv/ dt. Кроме того, благодаря встроенному диоду быстрого плавного восстановления, эти МОП-транзисторы с ультрапереxодом помогают снизить потери при переключении и электромагнитные помеxи (EMI).
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Series: | 650V Ultra Junction X2 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 23 ns |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 225 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.25kW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 kW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 225nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 64 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 15.5nF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 86 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 120A |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 46 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 24 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Пороговое напряжение на затворе | 5.5V@8mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 24mΩ@60A, 10V |