IXFX120N65X2, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 120 A, 0.024 ohm, PLUS247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013781037
- Артикул
- IXFX120N65X2
- Бренд
- Littelfuse
- RoHS
- Details
- Brand
- IXYS
- Fall Time
- 12 ns
- Packaging
- Tube
Цена по запросу
(от 6 720 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
• Низкое QG • Низкая индуктивность корпуса • Высокая плотность мощности • Простота монтажа • Экономия места
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | IXYS |
| Fall Time | 12 ns |
| Packaging | Tube |
| Rise Time | 23 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.001 |
| Unit Weight | 0.056438 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | IXYS |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 225 nC |
| Power Dissipation | 1.25кВт |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 30 |
| Pd - Power Dissipation | 1.25 kW |
| Особенности | высоковольтный |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 64 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 86 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 120 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 46 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.024Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 24 mOhms |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.7 V |
| Непрерывный Ток Стока | 120А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PLUS247 |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.024 Ом |