IXFX100N65X2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 100А, 1040Вт, PLUS247™, 200нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062316615
- Артикул
- IXFX100N65X2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Вес, г
- 6.76
- Серия
- 650V Ultra Junction X2
- Упаковка
- Tube
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 2 445,75 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор 650V/100A Ultra Junction X2
Технические параметры
| Вес, г | 6.76 |
| Серия | 650V Ultra Junction X2 |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 7 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 180 nC |
| Время нарастания | 24 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.04 kW |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 30 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 83 ns |
| Типичное время задержки при включении | 59 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.7 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 40 S |