IXFT60N65X2HV, Транзистор: N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 60А, 780Вт, TО268
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048973489
- Артикул
- IXFT60N65X2HV
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO268
- Series
- HiperFET
- Mounting
- SMD
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 1 762,62 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Низкий RDS (ВКЛ.) и Qg Быстродействующий диод корпуса dv / dt с лавинообразной нагрузкой, низкая индуктивность корпуса, пакеты международного стандарта
Технические параметры
| Case | TO268 |
| Series | HiperFET |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Technology | HiPerFET™, X2-Class |
| Вес, г | 3.9 |
| Gate charge | 108nC |
| Manufacturer | IXYS |
| Package Type | TO-268HV |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 60A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 780W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 52mΩ |
| Drain-source voltage | 650V |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Reverse recovery time | 180ns |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 780 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 108 nC @ 10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 52 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |