IXFT60N50P3, MOSFETs 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006231243
- Артикул
- IXFT60N50P3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 8 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 16 ns
Цена по запросу
(от 1 910 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы HiPerFET™ IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и в резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой прочностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и более высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти сильноточные МОП-транзисторы HiPerFET выпускаются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные типы.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 8 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 16 ns |
| Вес, г | 7 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | D3PAK-3(TO-268-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 96 nC |
| Структура | Power MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 1.04 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 60 S, 35 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1Ом |