IXFT50N60X, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 50А, 660Вт, TO268, 195нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003103931
- Артикул
- IXFT50N60X
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO268
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 4.07
- Gate charge
- 116nC
Цена по запросу
(от 2 400 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 50А, 660Вт, TO268, 195нс Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | TO268 |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 4.07 |
| Gate charge | 116nC |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 50A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 660W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| On-state resistance | 73mΩ |
| Drain-source voltage | 600V |
| Reverse recovery time | 195ns |
| Особенности | - |
| Features of semiconductor devices | ultra junction x-class |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 660 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |