IXFT50N60P3, MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006251052
- Артикул
- IXFT50N60P3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO268
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 5
- Серия
- IXFT50N60
Цена по запросу
(от 1 730 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power МОП-транзистор
Технические параметры
| Case | TO268 |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 5 |
| Серия | IXFT50N60 |
| Gate charge | 94nC |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 50A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Упаковка | Tube |
| Power dissipation | 1.04kW |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | Power MOSFET |
| On-state resistance | 0.16Ω |
| Drain-source voltage | 600V |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 17 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-268-3 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 94 nC |
| Время нарастания | 20 ns |
| кол-во в упаковке | 15 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1040 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Коммерческое обозначение | HyperFET |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 145 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 55 S, 32 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1040 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.145Ом |