IXFT400N075T2, MOSFETs TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069800001
- Артикул
- IXFT400N075T2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 44 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 20 ns
Цена по запросу
(от 2 950 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы HiPerFET™ IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и в резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой прочностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и более высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти сильноточные МОП-транзисторы HiPerFET выпускаются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные типы.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 44 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 20 ns |
| Вес, г | 7 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D3PAK-3(TO-268-3) |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 420 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 67 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 400 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 80 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 75 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |