Моя заявка (0)

IXFT340N075T2, Транзистор N-MOSFET, 75В, 340А, 935Вт, TO268, 75нс

IXFT340N075T2, Транзистор N-MOSFET, 75В, 340А, 935Вт, TO268, 75нс

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069784432
Артикул
IXFT340N075T2
Бренд
Ixys Corporation
Type:
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
Brand:
IXYS
Fall Time:
35 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 2 050 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы HiPerFET™ IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и в резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой прочностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и более высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти сильноточные МОП-транзисторы HiPerFET выпускаются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные типы.

Технические параметры

Type:TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
Brand:IXYS
Fall Time:35 ns
Packaging:Tube
Rise Time:50 ns
Вес, г4
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:D3PAK-3(TO-268-3)
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:300 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:30
Pd - Power Dissipation:935 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:26 ns
Typical Turn-Off Delay Time:60 ns
Id - Continuous Drain Current:340 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:65 S
Rds On - Drain-Source Resistance:3.2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:75 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V

Техническая документация