IXFT120N25X3HV, Транзистор N-MOSFET, 250В, 120А, 480Вт, TO268HV, 140нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062594926
- Артикул
- IXFT120N25X3HV
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO268HV
- Brand:
- IXYS
- Mounting
- SMD
- Fall Time:
- 12 ns
Цена по запросу
(от 1 922,54 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы HiPerFET™ Мощные МОП-транзисторы IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой надежностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти высокоточные МОП-транзисторы HiPerFET поставляются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные.
Технические параметры
| Case | TO268HV |
| Brand: | IXYS |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 12 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 32 ns |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 3.97 |
| Gate charge | 122nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 120A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-268-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 480W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 122 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 12mΩ |
| Drain-source voltage | 250V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Reverse recovery time | 140ns |
| Pd - Power Dissipation: | 480 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 29 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 54 S |
| Features of semiconductor devices | ultra junction x-class |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |