IXFT100N30X3HV, MOSFETs TO268 300V 100A N-CH X3CLASS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004724451
- Артикул
- IXFT100N30X3HV
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 14 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 30 ns
Цена по запросу
(от 3 300 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, X3-Class, полевой, 300В, 100А, 480Вт,TO268 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 14 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 30 ns |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 4 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-268HV-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 122 nC |
| Структура | N-Channel |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 480 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 29 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 144 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 48 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 13.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 300 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 300 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 13.5 mOhms |