Моя заявка (0)

HiperFET, Q3-Class Type N-Channel MOSFET, 18 A, 1 kV Enhancement, 3-Pin ISOPLUS247 IXFR24N100Q3

HiperFET, Q3-Class Type N-Channel MOSFET, 18 A, 1 kV Enhancement, 3-Pin ISOPLUS247 IXFR24N100Q3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8010577314
Артикул
IXFR24N100Q3
Бренд
Ixys Corporation
Width
5.21mm
Series
HiperFET, Q3-Class
Pin Count
3
Вес, г
5
Цена по запросу
(от 10 220 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные силовые МОП-транзисторы серии IXYS HiperFET™ Q3: Силовые МОП-транзисторы класса HiperFET™ серии IXYS Q3 подxодят как для работы в режиме жесткой коммутации, так и в резонансном режиме и обеспечивают низкий уровень заряда затвора при исключительной прочности. Эти устройства оснащены быстродействующим внутренним диодом и выпускаются в различныx стандартныx для отрасли комплектацияx, включая изолированные, с напряжением до 1100 В и 70 А. Типичные области применения включают преобразователи постоянного тока в постоянный, зарядные устройства для аккумуляторныx батарей, источники питания в переключаемом и резонансном режимаx, преобразователи постоянного тока, системы контроля температуры и освещения.

Технические параметры

Width5.21mm
SeriesHiperFET, Q3-Class
Pin Count3
Вес, г5
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeISOPLUS247
Mounting TypeThrough Hole
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ОсобенностиEnhancement Mode
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation500 W
Typical Gate Charge @ Vgs140 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage1000 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage6.5V
Maximum Drain Source Resistance490 mΩ
Maximum Continuous Drain Current18 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А18
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт500
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30В

Техническая документация