IXFR140N30P, MOSFETs 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006214327
- Артикул
- IXFR140N30P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- Polar Power MOSFET HiPerFET
- Width
- 5.21mm
- Brand:
- IXYS
- Series
- Polar HiPerFET
Цена по запросу
(от 5 300 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 300В, 70А, 300Вт, ISOPLUS247™ Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type: | Polar Power MOSFET HiPerFET |
| Width | 5.21mm |
| Brand: | IXYS |
| Series | Polar HiPerFET |
| Series: | IXFR140N30 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 30 ns |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | ISOPLUS247 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 185 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 185 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 300 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 70 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 50 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 26 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 70 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 26 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 300 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 300 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 82 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.026 Ом |