IXFQ26N50P3, MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018697304
- Артикул
- IXFQ26N50P3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Width
- 4.9mm
- Series
- HiperFET, Polar3
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 1 130 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 26А, 500Вт, TO3P Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 4.9mm |
| Series | HiperFET, Polar3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-3PN |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | Power MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 500 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 240 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 26 A |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |