IXFP80N25X3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 80А, 390Вт, TO220-3, 120нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062535417
- Артикул
- IXFP80N25X3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO220AB
- Width
- 4.83mm
- Series
- HiperFET
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 1 211,41 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Самое низкое сопротивление включению RDS (ON) и заряд затвора Qg Быстрое плавное восстановление диода корпуса dv/ dt Высокая прочность при лавинообразной работе
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Width | 4.83mm |
| Series | HiperFET |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 3 |
| Gate charge | 83nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | IXYS |
| Package Type | TO-220 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 80A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 390W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| On-state resistance | 16mΩ |
| Drain-source voltage | 250V |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Reverse recovery time | 120ns |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 390 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 83 @ 10 V nC |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 16 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Features of semiconductor devices | ultra junction x-class |