IXFP80N25X3, HiperFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 250 V Enhancement, 4-Pin TO-220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014479076
- Артикул
- IXFP80N25X3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO220AB
- Width
- 4.83mm
- Series
- HiperFET
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 2 647,09 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 80А, 390Вт, TO220-3, 120нс Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Width | 4.83mm |
| Series | HiperFET |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 83nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | IXYS |
| Package Type | TO-220 |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | TO-220 |
| Drain current | 80A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 390W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| On-state resistance | 16mΩ |
| Drain-source voltage | 250V |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Reverse recovery time | 120ns |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 390 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 83 @ 10 V nC |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 16 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Features of semiconductor devices | ultra junction x-class |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 390 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |