HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V, 3-Pin TO-220 IXFP7N80P
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8036741877
- Артикул
- IXFP7N80P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Width
- 4.83mm
- Series
- HiperFET, Polar
- Тип
- Polar HiPerFET Power MOSFET
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 1 270 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 800В, 7А, 200Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 4.83mm |
| Series | HiperFET, Polar |
| Тип | Polar HiPerFET Power MOSFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 194.1 |
| Длина | 10.66 mm |
| Серия | IXFP7N80 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Высота | 16 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 24 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 200 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Qg - заряд затвора | 32 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.44 Ω |
| Время нарастания | 32 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 7 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Коммерческое обозначение | Polar, HiperFET |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.44 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 55 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |