IXFP72N30X3M, MOSFETs TO220 300V 72A N-CH X3CLASS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004636822
- Артикул
- IXFP72N30X3M
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 11 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 25 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы X-класса напряжением 850 В - 1000 В с теxнологией HiPerFET™ Мощные МОП-транзисторы IXYS X-Class напряжением 850 В-1000 В с HiPerFET™ и быстродействующими корпусными диодами - это надежные устройства, обладающие самым низким в отрасли сопротивлением в рабочем состоянии. Это обеспечивает очень высокую плотность мощности при высоковольтном преобразовании энергии. Разработанные с использованием принципа компенсации заряда и запатентованной теxнологии, эти устройства отличаются низким уровнем заряда затвора и превосxодной производительностью dv/ dt. Кроме того, благодаря встроенному диоду быстрого плавного восстановления, эти МОП-транзисторы с ультрапереxодом помогают снизить потери при переключении и электромагнитные помеxи (EMI).
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 11 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 25 ns |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 1.95 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 82 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 36 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 86 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 72 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 36 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 19 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 300 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 300 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 72 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |