IXFP6N120P, Транзистор N-MOSFET, 1,2кВ, 6А, 250Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004277321
- Артикул
- IXFP6N120P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- Polar HiPerFET Power MOSFET
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 14 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 1 890 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы HiPerFET™ IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и в резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой прочностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и более высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти сильноточные МОП-транзисторы HiPerFET выпускаются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные типы.
Технические параметры
| Type: | Polar HiPerFET Power MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 14 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 2.78 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 92 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.75 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.4Ω@500mA, 10V |