IXFP56N30X3, Транзистор N-MOSFET, X3-Class, 300В, 56А, 320Вт, TO220AB, 115с
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067322508
- Артикул
- IXFP56N30X3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO220AB
- Brand:
- IXYS
- Mounting
- THT
- Fall Time:
- 10 ns
Цена по запросу
(от 1 100 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы HiPerFET™ IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и в резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой прочностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и более высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти сильноточные МОП-транзисторы HiPerFET выпускаются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные типы.
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Brand: | IXYS |
| Mounting | THT |
| Fall Time: | 10 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 26 ns |
| Technology | HiPerFET™, X3-Class |
| Вес, г | 2.09 |
| Gate charge | 56nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 56A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 320W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 56 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 27mΩ |
| Drain-source voltage | 300V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Reverse recovery time | 115ns |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Pd - Power Dissipation: | 320 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 21 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 64 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 56 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 26 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 27 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 300 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |