Моя заявка (0)
IXFP4N100PM, MOSFETs TO220 1KV 4A N-CH POLAR

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8052418600
Артикул
IXFP4N100PM
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Series:
HiPerFET
Fall Time:
50 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 1 080 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Polar HiPerFET Мощные МОП-транзисторы IXYS Polar™ HiPerFETs сочетают в себе преимущества семейства Polar Standard с более быстродействующим корпусным диодом. Время обратного восстановления диодов faster body (t rr) сокращено, что делает иx пригодными для управления двигателями с фазосдвигающими мостами и в системаx бесперебойного питания (ИБП). Это семейство МОП-транзисторов обеспечивает самый низкий уровень RDS1 (при включении), низкий уровень RTHJC, низкую добротность и расширенные возможности dv/dt.

Технические параметры

Brand:IXYS
Series:HiPerFET
Fall Time:50 ns
Packaging:Tube
Rise Time:36 ns
Tradename:HiPerFET
Вес, г1.95
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Корпусto220
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220FP-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:26 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:40 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:24 ns
Typical Turn-Off Delay Time:37 ns
Id - Continuous Drain Current:2.1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3.3 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:50
Пороговое напряжение на затворе-12 V, +12 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация