Моя заявка (0)
IXFP36N60X3, MOSFETs TO220 600V 36A N-CH X3CLASS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050703672
Артикул
IXFP36N60X3
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Fall Time:
4 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
8 ns
Цена по запросу
(от 1 130 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы HiPerFET™ IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и в резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой прочностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и более высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти сильноточные МОП-транзисторы HiPerFET выпускаются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные типы.

Технические параметры

Brand:IXYS
Fall Time:4 ns
Packaging:Tube
Rise Time:8 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Корпусto220
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Package/Case:TO-220-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:29 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:50
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:446 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:23 ns
Typical Turn-Off Delay Time:45 ns
Id - Continuous Drain Current:36 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:16 S
Rds On - Drain-Source Resistance:90 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А36
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация