Моя заявка (0)
IXFP22N65X2, MOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004636819
Артикул
IXFP22N65X2
Бренд
Ixys Corporation
Case
TO220AB
Brand:
IXYS
Series:
650V Ultra Junction X2
Mounting
THT
Цена по запросу
(от 706,45 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, 650В, 22А, 390Вт, TO220-3, 145нс Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

CaseTO220AB
Brand:IXYS
Series:650V Ultra Junction X2
MountingTHT
Fall Time:10 ns
Packaging:Tube
Rise Time:35 ns
Tradename:HiPerFET
Вес, г2.07
Gate charge37nC
Technology:Si
ManufacturerIXYS
Polarisationunipolar
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Drain current22A
Manufacturer:IXYS
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Power dissipation390W
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:38 nC
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
On-state resistance0.145Ω
Drain-source voltage650V
Transistor Polarity:N-Channel
Reverse recovery time145ns
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:390 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:38 ns
Typical Turn-Off Delay Time:33 ns
Id - Continuous Drain Current:22 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:8 S
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Rds On - Drain-Source Resistance:160 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:50
Пороговое напряжение на затворе5.5V@4mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А22
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт390
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация