HiperFET N-Channel MOSFET, 90 A, 850 V, 4-Pin SOT-227 IXFN90N85X
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014479080
- Артикул
- IXFN90N85X
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- HiperFET
- Width
- 25.07mm
- Brand:
- IXYS
- Series
- HiperFET
Цена по запросу
(от 19 480 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы X-класса Ultra-Junction напряжением 850 В с быстродействующими корпусными диодами представляют собой новую линейку силовыx полупроводниковыx приборов от корпорации IXYS.
Технические параметры
| Type: | HiperFET |
| Width | 25.07mm |
| Brand: | IXYS |
| Series | HiperFET |
| Series: | X-Class |
| Product: | Power MOSFET Modules |
| Pin Count | 4 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 20 ns |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-227 |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Manufacturer: | IXYS |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mounts |
| Package / Case: | SOT-227-4 |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Power Dissipation (Pd) | 1.2kW |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 kW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.2 kW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 340 @ 10 V nC |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 340nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 50 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 13.3nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 850 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 126 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 90A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 41 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 41 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 850 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 850 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 90 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±40В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.041 Ом |