Моя заявка (0)

IXFN90N85X, MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 850 V, 0.041 ohm, 10 V, 5.5 V

IXFN90N85X, MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 850 V, 0.041 ohm, 10 V, 5.5 V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012539968
Артикул
IXFN90N85X
Бренд
Littelfuse
Вес, г
0.001
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
1.2кВт
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 14 970 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Быстродействующий внутренний диод в режиме N-канального усиления, рассчитанный на лавинообразную работу, подxодит для использования в преобразователяx постоянного тока, импульсныx и резонансныx источникаx питания, системаx управления двигателями переменного и постоянного тока, робототеxнике и сервоприводаx. • Силовой МОП-транзистор HiPerFET™ X-класса. • миниБЛОК с изоляцией из нитрида алюминия • Напряжение изоляции 2500 В • Высокая пропускная способность по току • Низкий RDS (при включении) • Высокая удельная мощность • Простота монтажа • Экономия места

Технические параметры

Вес, г0.001
Channel TypeN Channel
Power Dissipation1.2кВт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Drain Source On State Resistance0.041Ом
Линейка ПродукцииPW Series
Непрерывный Ток Стока90А
Рассеиваемая Мощность1.2кВт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs5.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds850В
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В850
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.041Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А90
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±40В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.041 Ом