IXFN82N60P, MOSFET Modules DIODE Id82 BVdass600
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006244122
- Артикул
- IXFN82N60P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- Polar HiPerFET Power MOSFET
- Width
- 25.07mm
- Brand:
- IXYS
- Series
- HiperFET, Polar
Цена по запросу
(от 7 950 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Polar HiPerFET IXYS Мощные МОП-транзисторы Polar™ HiPerFETs сочетают в себе преимущества семейства Polar Standard с более быстродействующим корпусным диодом. Время обратного восстановления диодов faster body (trr) сокращено, что делает иx пригодными для управления двигателями с фазосдвигающими мостами и в системаx бесперебойного питания (ИБП). Это семейство МОП-транзисторов обеспечивает самый низкий уровень RDS (on), низкий RthJC, низкое Qg и расширенные возможности dv/dt.
Технические параметры
| Type: | Polar HiPerFET Power MOSFET |
| Width | 25.07mm |
| Brand: | IXYS |
| Series | HiperFET, Polar |
| Product: | MOSFET Modules |
| Pin Count | 4 |
| Fall Time: | 24 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 23 ns |
| Вес, г | 48 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-227 |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | IXYS |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Package/Case: | SOT-227-4 |
| Product Type: | MOSFET Modules |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | MOSFET Modules |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.04 kW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.04 kW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 240 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 79 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 72 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 72 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 75 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1040 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±40В |