IXFN80N60P3, HiperFET, Polar3 Type N-Channel MOSFET, 66 A, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044325316
- Артикул
- IXFN80N60P3
- Бренд
- Ixys Corporation
- Series
- HiperFET, Polar3
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 10 700 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор серии IXYS HiperFET™ Polar3™: Линейка N-канальныx силовыx МОП-транзисторов серии IXYS Polar3™ с быстродействующими встроенными диодами (HiPerFET™)
Технические параметры
| Series | HiperFET, Polar3 |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-227 |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 960 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 190 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 70 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 66 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 66 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |