Type N-Channel MOSFET, 66 A, 500 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN80N50P
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010465949
- Артикул
- IXFN80N50P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- HiperFET
- Width
- 25.07mm
- Brand:
- IXYS
- Series
- HiperFET, Polar
Цена по запросу
(от 9 700 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстродействующим встроенным диодом (HiPerFET™) от IXYS - широкий ассортимент современныx дискретныx силовыx МОП-транзисторов от IXYSundefined
Технические параметры
| Type: | HiperFET |
| Width | 25.07mm |
| Brand: | IXYS |
| Series | HiperFET, Polar |
| Series: | HiPerFET |
| Product: | Power MOSFET Modules |
| Pin Count | 4 |
| Fall Time: | 18 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 27 ns |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 194 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-227 |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Manufacturer: | IXYS |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mounts |
| Package / Case: | SOT-227-4 |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 700 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 700 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 195 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 70 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 66 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 65 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 66 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 66 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 700 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 65 mOhms |