Моя заявка (0)

IXFN80N50P, Транзистор N-Ch 500V 66A 700W 0,065R SOT227B

IXFN80N50P, Транзистор N-Ch 500V 66A 700W 0,065R SOT227B

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008523441
Артикул
IXFN80N50P
Бренд
Littelfuse
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±30V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
46.01
Цена по запросу
(от 6 850 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 500 В 66 А (Tc) 700 Вт (Tc) для крепления на шасси SOT-227B

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±30V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г46.01
Mounting TypeChassis Mount
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 500mA, 10V
Особенностивысоковольтный
Power Dissipation (Max)700W(Tc)
Supplier Device PackageSOT-227B
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12700 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C66A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А66
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт700
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация