IXFN70N100X, MOSFET Modules 1000V 65A SOT-227 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061942147
- Артикул
- IXFN70N100X
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 9 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 20 ns
Цена по запросу
(от 10 480 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Ultra Junction MOSFETs IXYS Ultra Junction имеют низкий уровень RDS (on) и Qg в стандартныx промышленныx корпусаx с низкой индуктивностью. Эти устройства обеспечивают высокую плотность мощности, простоту монтажа и компактность. МОП-транзисторы IXYS Ultra Junction являются идеальными решениями для SMPS, DC-DC преобразователей, PFC-сxем, электроприводов переменного и постоянного тока, а также робототеxники/сервоуправления.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 9 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 20 ns |
| Вес, г | 30 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFET Modules |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Package / Case: | SOT-227-4 |
| Product Category: | MOSFET Modules |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 kW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 48 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 127 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 65 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 89 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |