IXFN66N85X, Модуль, одиночный транзистор, 850В, 65А, SOT227B, Ugs: ±40В, 860Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062467720
- Артикул
- IXFN66N85X
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- SOT227B
- Technology
- HiPerFET™, X-Class
- Вес, г
- 37.04
- Gate charge
- 230nC
Цена по запросу
(от 6 210 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Модуль, одиночный транзистор, 850В, 65А, SOT227B, Ugs: ±40В, 860Вт Характеристики Категория Транзистор Тип модуль Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | SOT227B |
| Technology | HiPerFET™, X-Class |
| Вес, г | 37.04 |
| Gate charge | 230nC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 65A |
| Type of module | MOSFET transistor |
| Kind of channel | enhanced |
| Power dissipation | 830W |
| Electrical mounting | screw |
| Gate-source voltage | ±40V |
| Mechanical mounting | screw |
| On-state resistance | 65mΩ |
| Drain-source voltage | 850V |
| Pulsed drain current | 140A |
| Reverse recovery time | 250ns |
| Semiconductor structure | single transistor |